Intel introduceert ultra-energiezuinig productieproces

Intels 'high performance' 65nm (een nanometer is één miljardste meter) proces biedt voordelen op het gebied van energieverbruik en prestaties boven Intels huidige 90nm productieproces.  Met het nieuwe 65nm proces krijgen de chipontwerpers van Intel meer mogelijkheden om verbeteringen in circuitdichtheid, prestaties en energieverbruik te realiseren, die gebruikers van apparatuur met batterijen nodig hebben.

"Mensen kiezen voor mobiele platforms met de langste batterijlevensduur", zegt Mooly Eden, vice president en general manager van de Intel Mobile Platform Group. "Dergelijke producten zullen sterk verbeterd kunnen worden door ons nieuwe, ultra-energiezuinige productieproces. "We zullen toekomstige mobiele platforms zo ontwerpen dat zij volledig kunnen profiteren van beide, geavanceerde 65nm productieprocessen."

Een van de factoren bij het verminderen van het energieverbruik door chips, belangrijk voor mobiele en door batterijen gevoede apparatuur, is het verbeteren van het transistorontwerp. Het lekken van elektriciteit uit deze microscopische transistors, zelfs als ze zijn 'uitgeschakeld', vormt een probleem dat de gehele industrie voor een uitdaging stelt.

"Nu het aantal transistors op sommige chips de 1 miljard overstijgt is het duidelijk dat verbeteringen van individuele transistors opgeteld enorme voordelen betekenen voor het gehele apparaat",  zegt Mark Bohr, senior fellow en director van Intel Process Architecture and Integration. "Testchips die met Intels ultra-energiezuinige 65nm proces zijn gemaakt, hebben laten zien dat de lekkage van transistors ruwweg duizend maal minder is, vergeleken met ons standaard proces. Dat betekent een aanzienlijke energiebesparing voor mensen die apparatuur op basis van deze technologie gebruiken."

Intels ultra-energiezuinige 65nm procestechnologie Intels ultra-energiezuinige 65nm procestechnologie omvat enkele belangrijke transistormodificaties die zowel voor een laag energieverbruik zorgen als voor toonaangevende prestaties. Deze transistormodificaties hebben significante vermindering tot gevolg van de drie grootste lekkagebronnen: 'sub-threshold' lekkage, 'junction' lekkage en 'gate oxide' lekkage. De voordelen van minder transistorlekkage zijn een lager energieverbruik en een langere levensduur van de batterij.

Over Intels 65nm procestechnologie
Intels 65nm processen combineren beter presterende en minder energie verbruikende transistors, een tweede generatie van Intels 'strained' silicium, acht koperen hogesnelheidsverbindingen en diëlektrisch materiaal met een lage diëlektrische constante (k). Het bouwen van chips met 65nm processen maakt het voor Intel mogelijk om het aantal transistors op een enkele chip te verdubbelen, vergeleken met Intels 90nm technologie.

Met Intels 65nm processen kunnen transistors worden gemaakt waarvan de gate-lengte slechts 35nm bedraagt. Dit zijn de kleinste en best presterende CMOS-transistors zijn die in hoge volumes geproduceerd worden. Ter vergelijking: de meest geavanceerde transistors die nu in productie zijn, bijvoorbeeld te vinden in Intel® Pentium® 4 processors, meten 50nm. Kleine, snelle processors zijn de bouwstenen voor zeer snelle processors.  Intel heeft een tweede-generatie versie van zijn krachtige 'strained' silicium geïntegreerd in deze 65nm processen. Strained silicium maakt een hogere  'drive current' mogelijk, waardoor de snelheid van de transistors wordt verhoogd, terwijl de productiekosten slechts met 2 procent stijgen.

Intel is 's werelds grootste chipfabrikant en een vooraanstaand producent van personal computer-, netwerk- en communicatieproducten. Meer informatie over Intel is te vinden op: www.intel.com/pressroom/.

Voor meer informatie:
Intel Benelux, Kristof Sehmke, Communicatie Manager, telefoon +32 (0)3 450 08 11, e-mail: kristof.sehmke@intel.com, of Monogram Communication Strategies (MCS) BV, Jeanette de Wilde, telefoon +31 (0)23 562 82 08, e-mail: jeanettedw@monogram.nl.